几种晶体管的参数
晶体管的主要参数 -
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，..
表征晶体管的三个参数是直流参数、交流参数、极限参数。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。严格意义上讲，晶希望你能满意。
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，..
表征晶体管的三个参数是直流参数、交流参数、极限参数。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。严格意义上讲，晶希望你能满意。
型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V)C9013 SI-NPN 0.625 500 40 主要用于低频放大与电子开关CS9014NPN,0.625W,0.1A,Vcb0==50v,Vce0=45v,VB0=5V,ICB0=50NA.HFE=60--1000,FT=270MHZ 9015 硅PNP管 用途：低频放大。VCBO=50V VCEO=45V VEBO=5V 到此结束了？。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。特征频率fT是指晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降，当β值降为1时晶体管的工作频率。最高振荡频率fM是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。集电极最大电流ICM：集电极最大电流是指晶体希望你能满意。
什么叫晶体管 -
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态是什么。
（六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、..
三极管分多少种类型? -
1.概念：半导体三极管也称双极型晶体管，晶体三极管，简称三极管，是一种电流控制电流的半导体器件.作用：把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关.2.三极管的分类：a.按材质分： 硅管、锗管b.按结构分： NPN 、PNPc.按功能分： 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.3.三极管的主要参数：a是什么。
S8050，封装TOP21，NPN型管，功能高频放大，40V，1.5A，1W，100MHZ，代换B1240，S8550。S8550与S8050一致。9012，TOP21，PNP，低频放大，50V，0.5A，0.625W，代换，9013。
3ag1晶体管参数 -
3ag1晶体管参数有：1、类型：PNP三极管。2、集电极最大耗散功率（PCM）：0.05W。3、集电极最大允许电流（ICM）：0.01A。4、集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20V。5、集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：10V。6、集电极与基极反向漏电流（ICBO）：7μA。7、集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：..
BCP55 的参数电压-集射极击穿（最大值）：60V 晶体管类型：NPN 安装类型：表面贴装(SMT)湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）工作温度：55°C~150°C（TJ）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 功率（最大值）：1.5W 制造商标准提前期：7 周供应商器件封装：SOT-223-4 Vce饱和值（最大值）..